ဆိုလာဆဲလ်အခင်းအကျင်း- Anti-Reverse Diode နှင့် Bypass Diode

ဆိုလာဆဲလ်စတုရန်းခင်းကျင်းတွင်၊ Diode သည် အလွန်အသုံးများသောကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။အသုံးများသော diodes များသည် အခြေခံအားဖြင့် silicon rectifier diodes များဖြစ်သည်။ရွေးချယ်သည့်အခါ ပြိုကွဲပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ရန် သတ်မှတ်ချက်များတွင် အနားသတ်တစ်ခုချန်ထားပါ။ယေဘူယျအားဖြင့်၊ ပြောင်းပြန်အထွတ်အထိပ်ပြိုကွဲသည့်ဗို့အားနှင့် အမြင့်ဆုံးလည်ပတ်နေသောလျှပ်စီးသည် အမြင့်ဆုံးလည်ပတ်ဗို့အားနှင့် လည်ပတ်နေသောလက်ရှိထက် နှစ်ဆပိုရမည်ဖြစ်သည်။Diode များကို အဓိကအားဖြင့် ဆိုလာ photovoltaic လျှပ်စစ်ဓာတ်အားထုတ်လုပ်သည့်စနစ်များတွင် အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲထားသည်။

1. Anti-Reverse (Anti-Backflow) Diode

လုပ်ဆောင်ချက်တွေထဲက တစ်ခုပါ။anti-reverse diodeဆိုလာဆဲလ် မော်ဂျူး သို့မဟုတ် စတုရန်းခင်းကျင်းမှ ဘက်ထရီ၏ လျှပ်စီးကြောင်းအား မော်ဂျူး သို့မဟုတ် စတုရန်းခင်းကျင်းသို့ ပြောင်းပြန်လှန်ခြင်းမှ ကာကွယ်ရန်ဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် စွမ်းအင်ကို စားသုံးရုံသာမက မော်ဂျူး သို့မဟုတ် လေးထောင့်ခင်းကျင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေသည် အပူရှိန် သို့မဟုတ် ပျက်စီးခြင်း၊ဒုတိယလုပ်ဆောင်ချက်မှာ ဘက်ထရီ array ရှိ square array ၏ အကိုင်းအခက်များကြားတွင် လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို တားဆီးရန်ဖြစ်သည်။ ၎င်းမှာ စီးရီးရှိ အကိုင်းအခက်တစ်ခုစီ၏ အထွက်ဗို့အား လုံးဝမတူညီနိုင်သောကြောင့် မြင့်မားသော နှင့် အနိမ့်ဗို့အားအကြား ခြားနားချက် အမြဲရှိနေပါသည်။ အကိုင်းအခက်တစ်ခုစီ သို့မဟုတ် အကိုင်းအခက်တစ်ခု၏ အထွက်ဗို့အားသည် အမှားအယွင်း သို့မဟုတ် အရိပ်အရိပ်များကြောင့် လျော့ကျသွားပြီး ဗို့အားမြင့်ဌာနခွဲ၏ လက်ရှိသည် ဗို့အားနိမ့်ဌာနခွဲသို့ စီးဆင်းမည် သို့မဟုတ် စုစုပေါင်းစတုရန်းခင်းကျင်း၏ အထွက်ဗို့အားပင် လျော့ကျသွားမည်ဖြစ်သည်။အကိုင်းအခက်တစ်ခုစီရှိ anti reverse charging diodes များကို ချိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့် ဤဖြစ်စဉ်ကို ရှောင်ရှားနိုင်ပါသည်။
အမှီအခိုကင်းသော photovoltaic ပါဝါထုတ်လုပ်သည့်စနစ်တွင်၊ အချို့သော photovoltaic controller circuits များသည် anti-reverse charging diodes နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ controller တွင် anti-reverse charging function ပါရှိသောအခါ၊ component output ကို diode နှင့် ချိတ်ဆက်ရန် မလိုအပ်ပါ။
anti-reverse diode တွင် ရှေ့သို့ဗို့အားကျဆင်းသွားပြီး circuit တွင် ဆက်တိုက်ချိတ်ဆက်သည့်အခါ အချို့သော ပါဝါသုံးစွဲမှု ရှိလာပါမည်။ယေဘုယျအားဖြင့်အသုံးပြုသော silicon rectifier diode ၏ဗို့အားကျဆင်းမှုသည် 0.7V ခန့်ရှိပြီး ပါဝါမြင့်သောပြွန်သည် 1~20.3V သို့ရောက်ရှိနိုင်သော်လည်း ၎င်း၏ဗို့အားကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပါဝါသည် သေးငယ်သည်၊ ပါဝါနည်းပါးသောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက်သင့်လျော်သည်။

PV anti-reverse diodes တွင် အောက်ပါလက္ခဏာများ ရှိရန် လိုအပ်ပါသည်။

1. မြင့်မားသောဗို့အား- ယေဘုယျအားဖြင့် 1500V ထက်ကျော်လွန်ရန်လိုအပ်သည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် အမြင့်ဆုံး photovoltaic array သည် 1000V သို့ရောက်ရှိမည် သို့မဟုတ် 1000V ထက်ကျော်လွန်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။

2. ဓာတ်အားသုံးစွဲမှုနည်းသော၊ ဆိုလိုသည်မှာ on-resistance (on-state impedance သည် တတ်နိုင်သမျှ သေးငယ်သည်၊ များသောအားဖြင့် 0.8~0.9V ထက်နည်းသည်)။ photovoltaic စနစ်သည် စနစ်တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားမှုကို ထိန်းသိမ်းထားရန် လိုအပ်သောကြောင့် ပါဝါ၊ ပေါင်းစပ်ဘောက်စ်ရှိ anti-reverse diode ကို တတ်နိုင်သမျှ သေးငယ်သင့်သည်။

3. ကောင်းသောအပူပျံ့ခြင်းစွမ်းရည် (အပူခံနိုင်ရည်နည်းပါးပြီး ကောင်းသောအပူစွန့်ထုတ်မှုလိုအပ်သည်)- photovoltaic ပေါင်းစပ်ဘောက်စ်၏လုပ်ငန်းခွင်ပတ်ဝန်းကျင်သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ညံ့ဖျင်းသောကြောင့်၊ anti-reverse diode သည် ကောင်းသောအပူပျံ့နှံ့မှုစွမ်းရည်ရှိရန် လိုအပ်ပြီး အများအားဖြင့်လည်း လိုအပ်ပါသည်။ Gobi နှင့် ကုန်းပြင်မြင့်ကဲ့သို့သော ရာသီဥတုအခြေအနေများကို သုံးသပ်ပါ။

2. Bypass Diode

စတုရန်းဆဲလ်အခင်းကျင်းတစ်ခု သို့မဟုတ် စတုရန်းဆဲလ်အခင်းအကျင်းတစ်ခု၏အကိုင်းအခက်တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် ဆက်တိုက်ချိတ်ဆက်ထားသော ဆိုလာဆဲလ် module များရှိပါက၊ တစ်ခု (သို့မဟုတ် 2 ~ 3) diodes များကို ဘက်ထရီတစ်ခုစီ၏ အပြုသဘောနှင့် အနုတ်လက္ခဏာအထွက် တာမီနယ်များတွင် ပြောင်းပြန်အပြိုင်ချိတ်ဆက်ရန်လိုအပ်သည် ဘောင်။အစိတ်အပိုင်း၏အစွန်းနှစ်ဖက်တွင် အပြိုင်ချိတ်ဆက်ထားသော diodes ကို bypass diodes ဟုခေါ်သည်။
bypass diode ၏လုပ်ဆောင်ချက်မှာ စတုရန်းခင်းကျင်းရှိ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု သို့မဟုတ် ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ခြင်းကိုရပ်တန့်ရန် အရိပ်အမြွတ် သို့မဟုတ် ချွတ်ယွင်းသွားခြင်းမှ အစိတ်အပိုင်းအချို့ကို တားဆီးရန်ဖြစ်သည်။diode conduction ကိုပြုလုပ်ရန်အတွက် forward bias သည် component bypass diode ၏အစွန်းနှစ်ဖက်တွင် ဖွဲ့စည်းမည်ဖြစ်ပါသည်။အလုပ်လုပ်နေသောကြိုးသည် ချို့ယွင်းနေသော အစိတ်အပိုင်းကို ကျော်ဖြတ်ကာ အခြားသာမန်အစိတ်အပိုင်းများ၏ ပါဝါထုတ်လုပ်ခြင်းကို မထိခိုက်စေသည့် diode မှတဆင့် စီးဆင်းသည်။တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ၎င်းသည် "hot spot effect" ကြောင့် high forward bias သို့မဟုတ် heating ကြောင့် ကျော်ဖြတ်ထားသော အစိတ်အပိုင်းအား ပျက်စီးခြင်းမှလည်း ကာကွယ်ပေးပါသည်။
Bypass diodes ကို ယေဘုယျအားဖြင့် junction box တွင် တိုက်ရိုက်တပ်ဆင်သည်။အစိတ်အပိုင်းများ၏ ပါဝါနှင့် ဘက်ထရီဆဲလ်ကြိုးအရေအတွက်အရ 1 မှ 3 diodes များကို တပ်ဆင်ထားသည်။
မည်သည့်အခြေအနေတွင်မဆို Bypass diodes မလိုအပ်ပါ။အစိတ်အပိုင်းများကို တစ်ဦးတည်း သို့မဟုတ် အပြိုင်အသုံးပြုသောအခါ၊ ၎င်းတို့ကို diode နှင့် ချိတ်ဆက်ရန် မလိုအပ်ပါ။စီးရီးရှိ အစိတ်အပိုင်းများ၏ အရေအတွက်နည်းပြီး လုပ်ငန်းခွင်ပတ်ဝန်းကျင် ကောင်းမွန်သည့် အခါများတွင်၊ bypass diode ကို အသုံးမပြုရန်လည်း ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် ဖြစ်နိုင်သည်။

Diode Protection Circuit ၏မူလ

Diode ၏ အသုံးအများဆုံးလုပ်ဆောင်ချက်မှာ ဦးတည်ချက်တစ်ခုတည်းတွင်သာ ဖြတ်သန်းခွင့်ပြုရန် (ရှေ့သို့ဘက်လိုက်မှုဟုခေါ်သည်) နှင့် ပြောင်းပြန်ဦးတည်ချက် (reverse bias ဟုခေါ်သည်)။

ရှေ့သို့ဗို့အားဘက်လိုက်မှုကို ထုတ်ပေးသောအခါ၊ ပြင်ပလျှပ်စစ်စက်ကွင်းနှင့် ကိုယ်တိုင်တည်ဆောက်ထားသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်း အပြန်အလှန် ဖိနှိပ်မှုသည် သယ်ဆောင်သူများ၏ ပျံ့နှံ့စီးဆင်းမှုကို တိုးပွားစေပြီး ရှေ့သို့လျှပ်စီးကြောင်းကို ဖြစ်စေသည် (ဆိုလိုသည်မှာ လျှပ်စစ်စီးကြောင်း၏ အကြောင်းရင်း) ဖြစ်သည်။

ပြောင်းပြန်ဗို့အားဘက်လိုက်မှုကို ထုတ်ပေးသောအခါ၊ ပြင်ပလျှပ်စစ်စက်ကွင်းနှင့် ကိုယ်တိုင်တည်ဆောက်ထားသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအား ပိုမိုအားကောင်းလာကာ အချို့သောပြောင်းပြန်ဗို့အားအကွာအဝေးရှိ ပြောင်းပြန်ဗို့အားနှင့် ဘာမှမဆိုင်သော ပြောင်းပြန်ရွှဲလျှပ်စီးကြောင်း I0 ဖြစ်လာသည် (ဤသည်မှာ အကြောင်းရင်းဖြစ်သည်။ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းမရှိသော)။

အပြင်ဘက်တွင် ပြောင်းပြန်ဗို့အားဘက်လိုက်မှုရှိသောအခါ၊ ပြင်ပလျှပ်စစ်စက်ကွင်းနှင့် ကိုယ်တိုင်တည်ဆောက်ထားသောလျှပ်စစ်စက်ကွင်းသည် ပိုမိုအားကောင်းလာကာ အချို့သောပြောင်းပြန်ဗို့အားအကွာအဝေးအတွင်း ပြောင်းပြန်ဗို့အားတန်ဖိုးနှင့် ကင်းလွတ်သော ပြောင်းပြန် saturation လက်ရှိ I0 အဖြစ်ဖွဲ့စည်းသည်။