Bwat Junction fotovoltaik wo-kouran an satisfè egzijans modil PV 210 la nèt.

Avèk pwodiksyon an mas 166, 182, ak 210 modil fotovoltaik, endistri a ap kontinye diskite sou avantaj ak dezavantaj chanjman gwosè wafer Silisyòm.Konsantre nan diskisyon an gen ladan paramèt elektrik ak dimansyon modil yo, transpò, ak rezèv materyèl bwit.Natirèlman, genyen tou kèk diskisyon sou fyab la ak seleksyon materyèl nan bwat fotovoltaik junction.Kòm yon founisè materyèl angaje nan rechèch la ak devlopman ak fabrikasyon nan bwat junction pou yon tan long, nou analize relasyon ki genyen ant bwat junction ak gwo-gwosè Silisyòm wafers ak modil gwo pouvwa nan yon pèspektiv materyèl.

Prensip k ap travay nan bwat Junction fotovoltaik

Fonksyon prensipal la nanbwat junction fotovoltaikse pwodiksyon pouvwa a ki te pwodwi pa modil la fotovoltaik nan kous la ekstèn, ki gen ladan koki a, dyod, konektè mc4, kab fotovoltaik ak lòt konpozan, nan mitan ki dyod la se aparèy debaz la.Lè modil la ap travay nòmalman, dyod nan bwat junction PV a se nan eta bloke ranvèse;lè selil modil la bloke oswa domaje, dyòd kontoune a limen pou pwoteje tout modil fotovoltaik la.

Tablo ki anwo a montre paramèt pèfòmans elektrik tipik nan 166, 182 ak 210 modil ak seleksyon an rated aktyèl nan bwat fotovoltaik junction nan faktori modil fotovoltaik.Paramèt modil yo montre kouran ki ba, segondè vòltaj ak segondè aktyèl ak vòltaj ki ba respektivman.

Bwat Junction fotovoltaik ak Dyòd

Endikatè kle yo nan bwat fotovoltaik junction gen ladan bwat junction rated aktyèl, dyod rated aktyèl ak ranvèse kenbe tèt ak vòltaj, elatriye, tou depann de konsepsyon an estrikti nan bwat la junction ak seleksyon an nan espesifikasyon dyod.

Anjeneral, sètifikasyon an ak tès nan modil fotovoltaik ak bwat junction yo baze sou: aktyèl la rated nan bwat junction solè ≥ 1.25 fwa Isc pou seleksyon ak tès, epi yo pral rezève yon maj sèten.Anba kondisyon travay nòmal yo, Dyòd bwat junction a nan eta ranvèse koupe.Kèlkeswa konpozan 166 ak 182 oswa 210 konpozan, dyod yo pa pral kondwi oswa chofe.Konpare ak konpozan 210 yo, diodes bwat junction konpozan 182 ak 166 yo pral pote yon ti kras segondè vòltaj patipri ranvèse.

Lè yon tach cho rive nan yon modil fotovoltaik, dyod la ap mennen pi devan epi jenere chalè.Pran 210 modil la ak bwat junction 25A kòm yon egzanp, lè pwodiksyon aktyèl Isc = 18.6A (aktyèl la lè modil aktyèl la ap travay se Imp≈17.5A), tanperati junction a se apeprè 120 ° C.Menm lè nou konsidere yon pati nan anviwònman an ak ase limyè, nan ka a nan 1.25 fwa Isc (23.2A), tanperati a junction nan bwat la junction fotovoltaik nan moman sa a se sou 160 ° C, ki se byen lwen pi ba pase junction a 200 ° C. tanperati limit siperyè estanda IEC62790 la.Natirèlman, Isc a pou modil 182 ak 166 se yon ti kras pi ba, ak bwat la junction ak menm konfigirasyon an gen pi ba jenerasyon chalè, ak bwat junction yo nan yon eta k ap travay san danje kidonk pa gen okenn risk.

Analiz ki pi wo a se operasyon an nan bwat la junction fotovoltaik nan ka tach cho nan modil la fotovoltaik.Kòm pou modil yo, lè zwazo oswa fèy bloke tach cho yo epi byen vit disparèt, chape tèmik dyod la pral rive.Fisèl modil la pral pote enstantane vòltaj patipri ranvèse ak aktyèl flit nan dyod la, ak pi wo vòltaj fisèl pral pote pi gwo defi nan bwat la junction ak dyod.Soti nan pèspektiv nan konsepsyon bwat junction PV, konsepsyon estrikti bwat rezonab, anbalaj fasil dissipation chalè ak pi bon seleksyon chip ka rezoud pwoblèm sa yo.

Pou modil doub-sided ak modil mwatye moso, depi chak bò inite konekte nan paralèl youn ak lòt, jan yo montre nan figi ki anba a, lè efè lokal cho ak chape chalè rive, pati paralèl la ka shunted, ak maj sekirite a. rezève pa bwat la junction se menm pi gwo.Dapre kalkil, pwobabilite ki genyen pou kote paralèl, devan ak dèyè modil demi-selil doub-side an menm tan bloke se trè ba, ki se sou ensidans la nan 1 modil nan 10GW.Se poutèt sa, nan kondisyon aktyèl yo, li se prèske enposib gen bwat la junction k ap travay nan chaj plen, ak fyab ka garanti.

Konektè fotovoltaik ak kab

Kòm youn nan konpozan transmisyon pouvwa, lakonektè fotovoltaikse responsab pou koneksyon an siksè nan estasyon elektrik la.Koulye a, aktyèl la rated nan konektè endikap yo souvan itilize nan mache a yo tout pi wo pase 30A, ak maksimòm la ka rive nan 55A, ki se ase yo satisfè kondisyon yo transmisyon pouvwa nan eleman ki deja egziste gwo pouvwa.Li te verifye ke nan yon 55A modil ranvèse aktyèl tès surcharge nan yon konektè fotovoltaik ak yon aktyèl rated nan 41A soti nan yon manifakti, tanperati a kontwole se 76 ° C, ki se pi ba anpil pase 105 ° C RTI valè a nan materyèl la anvan tout koreksyon. nan konektè a.Sepandan, nan anviwònman aplikasyon wo-aktyèl la, fen konektè a ta dwe eseye tou pou fè pou evite pwoblèm potansyèl tankou limit aktyèl ki te koze pa rezistans lokal segondè ak surchof pwen kontak lokal yo.Solisyon efikas, tankou: optimize pèfòmans nan kontak nan bag kondiktè a, amelyore estrikti an jeneral nan konektè a, amelyore kalite a nan kab crimping nan fen konektè a, epi ajoute fèblan doub teknoloji asirans nan pati a konekte.

Poucâbles fotovoltaik, aktyèl la nominal nan câbles ki konfòme yo ak estanda EN oswa IEC (câbles 4mm2, aktyèl la rated se 44A lè sifas yo adjasan youn ak lòt) se pi wo pase aktyèl la rated nan bwat la junction fotovoltaik, kidonk pa gen okenn bezwen. enkyete sou fyab li yo.

Pwosesis Faktori PV Junction Box ak Apèsi sou mache

Avèk amelyorasyon fiks nan nivo fabrikasyon an ak kapasite kontwòl kalite nan bwat fotovoltaik junction, pèfòmans ak fyab nan bwat junction yo te byen garanti, sa ki ka satisfè kondisyon ki nan gwo-gwosè Silisyòm wafers ak konpozan gwo pouvwa.

1. Nan pwosesis konsepsyon ak manifakti nan bwat fotovoltaik junction, yon gwo kantite nouvo pwosesis ak nouvo teknoloji ki te verifye nan domèn semi-conducteurs, otomobil, aerospace, elatriye yo prezante, tankou teknoloji anbalaj modil, soude frekans entèmedyè. teknoloji, elatriye, amelyore pèfòmans elektrik la ak dissipation chalè nan kapasite pwodwi bwat junction.

2. Nan pwosesis manifakti bwat junction panèl PV la, ogmante rechèch ak devlopman ak envestisman nan ekipman automatisation ka asire presizyon nan pwosesis, bon jan kalite, ak kontwòl pwosesis, epi reyalize automatisation pwosesis ak automatisation kontwòl kalite.

3. Ki baze sou eksperyans nan manifakti bwat junction PV, konsantre sou ranfòse kontwòl fyab koneksyon ant Pwodwi pou Telefòn yo nan bwat junction la ak jesyon pwen kle kontwòl kalite, tankou kontwòl rapò a konpresyon nan pwen an koneksyon, la. doub kondisyon pwosesis asirans pou tinning, ak kontwòl pwosesis la soude ultrasons, tretman Corona, ak siveyans nan paramèt enpòtan.

Anplis de sa nan amelyorasyon nan pwòp kapasite manifaktirè bwat junction fotovoltaik yo, manifaktirè eleman ak òganizasyon twazyèm pati yo toujou ap amelyore tès, evalyasyon ak kontwòl kalite bwat junction ak konpozan, ki te plis ankouraje amelyorasyon nan kontwòl kalite a ak kapasite R&D. nan manifaktirè bwat junction.

Kòmanse nan pwemye mwatye nan 2020, kò sètifikasyon tankou TUV te bay sètifika sètifikasyon bwat junction 25A ak 30A bay anpil manifaktirè bwat junction PV.Pakèt gwo bwat junction aktyèl yo te pase sètifikasyon ak tès ajans twazyèm pati yo, ki te ranfòse plis konfyans manifaktirè bwat junction yo ak manifakti modil fotovoltaik.Avèk liberasyon kapasite pwodiksyon 182 ak 210 modil gwo Silisyòm wafer, kapasite pwodiksyon sipò gwo bwat junction aktyèl yo pral tou piti piti etabli ak elaji.

An rezime, pèfòmans, asirans fyab ak kapasite fabrikasyon nan bwat junction fotovoltaik segondè-aktyèl ak konpozan yo gen matirite, epi yo ka konplètman satisfè kondisyon ki nan diferan kalite gwo-gwosè Silisyòm wafers ak konpozan gwo pouvwa.