The High-Current Photovoltaic Junction Box ຕອບສະຫນອງຄວາມຮຽກຮ້ອງຕ້ອງການຂອງໂມດູນ 210 PV

ດ້ວຍການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງ 166, 182, ແລະ 210 ໂມດູນ photovoltaic, ອຸດສາຫະກໍາຍັງສືບຕໍ່ປຶກສາຫາລືກ່ຽວກັບຂໍ້ດີແລະຂໍ້ເສຍຂອງການປ່ຽນແປງຂະຫນາດຂອງ silicon wafer.ຈຸດສຸມຂອງການສົນທະນາປະກອບມີຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າແລະຂະຫນາດຂອງໂມດູນ, ການຂົນສົ່ງ, ແລະການສະຫນອງວັດຖຸດິບ.ແນ່ນອນ, ຍັງມີບາງການສົນທະນາກ່ຽວກັບຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະການຄັດເລືອກວັດສະດຸຂອງກ່ອງ junction photovoltaic.ໃນຖານະເປັນຜູ້ສະຫນອງວັດສະດຸທີ່ມີສ່ວນຮ່ວມໃນການຄົ້ນຄວ້າແລະການພັດທະນາແລະການຜະລິດກ່ອງ junction ສໍາລັບເວລາດົນນານ, ພວກເຮົາວິເຄາະຄວາມສໍາພັນລະຫວ່າງກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ແລະ wafers ຊິລິໂຄນຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະໂມດູນພະລັງງານສູງຈາກທັດສະນະຂອງວັດສະດຸ.

ຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງກ່ອງແຍກ Photovoltaic

ຫນ້າ​ທີ່​ຕົ້ນ​ຕໍ​ຂອງ​ກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ photovoltaicແມ່ນເພື່ອສົ່ງພະລັງງານທີ່ຜະລິດໂດຍໂມດູນ photovoltaic ໄປສູ່ວົງຈອນພາຍນອກ, ລວມທັງ shell, diode, connector mc4, ສາຍ photovoltaic ແລະອົງປະກອບອື່ນໆ, ໃນນັ້ນ diode ເປັນອຸປະກອນຫຼັກ.ໃນເວລາທີ່ໂມດູນກໍາລັງເຮັດວຽກຕາມປົກກະຕິ, diode ໃນປ່ອງ PV junction ແມ່ນຢູ່ໃນສະຖານະປິດກັ້ນທາງກົງກັນຂ້າມ;ເມື່ອໂມດູນໂມດູນຖືກສະກັດຫຼືເສຍຫາຍ, ໄດໂອດ bypass ຖືກເປີດເພື່ອປົກປ້ອງໂມດູນ photovoltaic ທັງຫມົດ.

ຕາຕະລາງຂ້າງເທິງສະແດງໃຫ້ເຫັນຕົວກໍານົດການປະສິດທິພາບໄຟຟ້າປົກກະຕິຂອງ 166, 182 ແລະ 210 ໂມດູນແລະການຄັດເລືອກຂອງກະແສໄຟຟ້າ rated ກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ photovoltaic ຂອງໂຮງງານຜະລິດໂມດູນ photovoltaic.ຕົວກໍານົດການຂອງໂມດູນສະແດງໃຫ້ເຫັນປະຈຸບັນຕ່ໍາ, ແຮງດັນສູງແລະປະຈຸບັນສູງແລະແຮງດັນຕ່ໍາຕາມລໍາດັບ.

Photovoltaic Junction Box ແລະ Diode

ຕົວຊີ້ວັດທີ່ສໍາຄັນຂອງກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ photovoltaic ປະກອບມີກ່ອງ junction rated ໃນປະຈຸບັນ, diode ຈັດອັນດັບໃນປະຈຸບັນແລະ reverse withstand voltage, ແລະອື່ນໆ, ອີງຕາມການອອກແບບໂຄງສ້າງຂອງປ່ອງ junction ແລະການຄັດເລືອກຂອງ diode ສະເພາະ.

ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ, ການຢັ້ງຢືນແລະການທົດສອບຂອງໂມດູນ photovoltaic ແລະກ່ອງ junction ແມ່ນອີງໃສ່: ອັດຕາປະຈຸບັນຂອງຫ້ອງ junction ແສງຕາເວັນ ≥ 1.25 ເວລາ Isc ສໍາລັບການຄັດເລືອກແລະການທົດສອບ, ແລະຂອບສະເພາະໃດຫນຶ່ງຈະໄດ້ຮັບການສະຫງວນ.ພາຍໃຕ້ສະພາບການເຮັດວຽກປົກກະຕິ, diode ກ່ອງ junction ແມ່ນຢູ່ໃນສະພາບຕັດກັບຄືນ.ໂດຍບໍ່ຄໍານຶງເຖິງອົງປະກອບ 166 ແລະ 182 ຫຼື 210 ອົງປະກອບ, diodes ຈະບໍ່ດໍາເນີນການຫຼືຄວາມຮ້ອນ.ເມື່ອປຽບທຽບກັບອົງປະກອບ 210, diodes ກ່ອງ junction ຂອງ 182 ແລະ 166 ອົງປະກອບຈະຮັບຜິດຊອບແຮງດັນສູງ reverse bias ເລັກນ້ອຍ.

ເມື່ອຈຸດຮ້ອນເກີດຂື້ນໃນໂມດູນ photovoltaic, diode ຈະດໍາເນີນການຕໍ່ແລະສ້າງຄວາມຮ້ອນ.ເອົາໂມດູນ 210 ແລະກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ 25A ເປັນຕົວຢ່າງ, ເມື່ອກະແສຜົນຜະລິດ Isc = 18.6A (ປັດຈຸບັນໃນເວລາທີ່ໂມດູນຕົວຈິງເຮັດວຽກແມ່ນ Imp≈17.5A), ອຸນຫະພູມຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ແມ່ນປະມານ 120 ° C.ເຖິງແມ່ນວ່າການພິຈາລະນາສ່ວນຫນຶ່ງຂອງສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີແສງສະຫວ່າງພຽງພໍ, ໃນກໍລະນີຂອງ 1.25 ເທົ່າ Isc (23.2A), ອຸນຫະພູມຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ຂອງກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ photovoltaic ໃນເວລານີ້ແມ່ນປະມານ 160 ° C, ເຊິ່ງຕ່ໍາກວ່າຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ 200 ° C. ຂອບເຂດຈໍາກັດອຸນຫະພູມເທິງຂອງມາດຕະຖານ IEC62790.ແນ່ນອນ, Isc ສໍາລັບໂມດູນ 182 ແລະ 166 ແມ່ນຕ່ໍາເລັກນ້ອຍ, ແລະກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ມີການຕັ້ງຄ່າດຽວກັນມີການຜະລິດຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ, ແລະກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ຢູ່ໃນສະພາບທີ່ປອດໄພ, ດັ່ງນັ້ນບໍ່ມີຄວາມສ່ຽງ.

ການວິເຄາະຂ້າງເທິງນີ້ແມ່ນການເຮັດວຽກຂອງກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ photovoltaic ໃນກໍລະນີຂອງຈຸດຮ້ອນໃນໂມດູນ photovoltaic.ສໍາລັບໂມດູນ, ເມື່ອນົກຫຼືໃບສະກັດຈຸດຮ້ອນແລະຫາຍໄປຢ່າງໄວວາ, ການຫລົບຫນີຄວາມຮ້ອນຂອງ diode ຈະເກີດຂື້ນ.ສະຕຣິງໂມດູນຈະນໍາເອົາແຮງດັນຄວາມລໍາອຽງປີ້ນກັບກັນໃນທັນທີແລະກະແສໄຟຟ້າຮົ່ວໄຫຼໄປສູ່ diode, ແລະແຮງດັນຂອງສາຍທີ່ສູງຂຶ້ນຈະນໍາເອົາສິ່ງທ້າທາຍຫຼາຍກວ່າເກົ່າໃຫ້ກັບກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ແລະ diode.ຈາກທັດສະນະຂອງການອອກແບບກ່ອງ PV junction, ການອອກແບບໂຄງສ້າງກ່ອງທີ່ສົມເຫດສົມຜົນ, ການຫຸ້ມຫໍ່ diode dissipation ຄວາມຮ້ອນງ່າຍແລະການເລືອກຊິບທີ່ດີກວ່າສາມາດແກ້ໄຂບັນຫາເຫຼົ່ານີ້ໄດ້.

ສໍາລັບໂມດູນສອງດ້ານແລະໂມດູນເຄິ່ງຊິ້ນ, ເນື່ອງຈາກແຕ່ລະດ້ານຂອງຫນ່ວຍງານແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ຂະຫນານກັບກັນແລະກັນ, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບຂ້າງລຸ່ມນີ້, ເມື່ອຜົນກະທົບຈຸດຮ້ອນໃນທ້ອງຖິ່ນແລະການຫນີຄວາມຮ້ອນເກີດຂື້ນ, ສ່ວນຂະຫນານສາມາດຖືກ shunted, ແລະຂອບຄວາມປອດໄພ. ສະຫງວນໄວ້ໂດຍປ່ອງ junction ແມ່ນຫຼາຍກວ່າເກົ່າ.ອີງຕາມການຄິດໄລ່, ຄວາມເປັນໄປໄດ້ທີ່ດ້ານຂະຫນານ, ດ້ານຫນ້າແລະດ້ານຫລັງຂອງໂມດູນເຄິ່ງຈຸລັງສອງດ້ານໄດ້ຖືກສະກັດພ້ອມກັນແມ່ນຕໍ່າທີ່ສຸດ, ເຊິ່ງແມ່ນປະມານການເກີດຂອງ 1 ໂມດູນໃນ 10GW.ດັ່ງນັ້ນ, ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຕົວຈິງ, ມັນເກືອບເປັນໄປບໍ່ໄດ້ທີ່ຈະມີກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ເຮັດວຽກຢ່າງເຕັມທີ່, ແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສາມາດຮັບປະກັນໄດ້.

ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ແລະສາຍໄຟ Photovoltaic

ເປັນຫນຶ່ງໃນອົງປະກອບລະບົບສາຍສົ່ງໄຟຟ້າ, ໄດ້ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ photovoltaicຮັບຜິດຊອບສໍາລັບການເຊື່ອມຕໍ່ສົບຜົນສໍາເລັດຂອງສະຖານີພະລັງງານ.ໃນປັດຈຸບັນ, ໃນປະຈຸບັນຈັດອັນດັບຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່ຕົ້ນຕໍທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປໃນຕະຫຼາດທັງຫມົດແມ່ນສູງກວ່າ 30A, ແລະສູງສຸດສາມາດບັນລຸ 55A, ເຊິ່ງພຽງພໍທີ່ຈະຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການການສົ່ງໄຟຟ້າຂອງອົງປະກອບທີ່ມີພະລັງງານສູງ.ມັນໄດ້ຖືກກວດສອບວ່າໃນ 55A ໂມດູນ reverse ການທົດສອບ overload ໃນປະຈຸບັນຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່ photovoltaic ທີ່ມີການຈັດອັນດັບ 41A ຈາກຜູ້ຜະລິດ, ອຸນຫະພູມທີ່ຕິດຕາມກວດກາແມ່ນ 76 ° C, ເຊິ່ງຕ່ໍາກວ່າຄ່າ RTI 105 ° C ຂອງວັດຖຸດິບ. ຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່.ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ໃນສະພາບແວດລ້ອມຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນປະຈຸບັນສູງ, ປາຍຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່ຍັງຄວນພະຍາຍາມຫຼີກເວັ້ນບັນຫາທີ່ອາດຈະເກີດຂຶ້ນເຊັ່ນ: ການຈໍາກັດໃນປະຈຸບັນທີ່ເກີດຈາກການຕໍ່ຕ້ານສູງໃນທ້ອງຖິ່ນແລະການ overheating ຈຸດຕິດຕໍ່ທ້ອງຖິ່ນ.ວິທີແກ້ໄຂທີ່ມີປະສິດທິພາບ, ເຊັ່ນ: ການເພີ່ມປະສິດທິພາບການຕິດຕໍ່ຂອງວົງ conductor, ການປັບປຸງໂຄງສ້າງໂດຍລວມຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່, ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງສາຍເຄເບີ້ນ crimping ໃນຕອນທ້າຍຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່, ແລະເພີ່ມເທກໂນໂລຍີການປະກັນໄພສອງເທົ່າໃນສ່ວນເຊື່ອມຕໍ່.

ສໍາລັບສາຍໄຟ photovoltaic, ໃນປະຈຸບັນຈັດອັນດັບຂອງສາຍທີ່ປະຕິບັດຕາມມາດຕະຖານ EN ຫຼື IEC (ສາຍ 4mm2, ປະຈຸບັນຈັດອັນດັບແມ່ນ 44A ເມື່ອພື້ນຜິວຢູ່ຕິດກັນ) ແມ່ນສູງກວ່າລະດັບກະແສໄຟຟ້າຂອງກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່ photovoltaic, ດັ່ງນັ້ນບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງ ກັງວົນກ່ຽວກັບຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງມັນ.

ຂະບວນການຜະລິດ PV Junction Box ແລະສະພາບລວມຂອງຕະຫຼາດ

ດ້ວຍການປັບປຸງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງລະດັບການຜະລິດແລະຄວາມສາມາດໃນການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບຂອງກ່ອງແຍກ photovoltaic, ການປະຕິບັດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງກ່ອງ junction ໄດ້ຮັບການຮັບປະກັນທີ່ດີ, ເຊິ່ງສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງ wafers ຊິລິໂຄນຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະອົງປະກອບທີ່ມີພະລັງງານສູງ.

1. ໃນການອອກແບບແລະການຜະລິດຂອງປ່ອງ photovoltaic junction, ຈໍານວນຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງຂະບວນການໃຫມ່ແລະເຕັກໂນໂລຊີໃຫມ່ທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນໃນຂົງເຂດຂອງ semiconductor, ລົດໃຫຍ່, ຍານອາວະກາດ, ແລະອື່ນໆ, ເຊັ່ນເຕັກໂນໂລຊີການຫຸ້ມຫໍ່ໂມດູນ, ການເຊື່ອມໂລຫະຄວາມຖີ່ລະດັບປານກາງ. ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​, ແລະ​ອື່ນໆ​, ເພື່ອ​ປັບ​ປຸງ​ການ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​ໄຟ​ຟ້າ​ແລະ​ການ​ແຜ່​ກະ​ຈາຍ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ຂອງ​ຄວາມ​ສາ​ມາດ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ junction box​.

2. ໃນຂະບວນການຜະລິດ PV panel junction box, ການເພີ່ມການຄົ້ນຄວ້າແລະການພັດທະນາແລະການລົງທຶນຂອງອຸປະກອນອັດຕະໂນມັດສາມາດຮັບປະກັນຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການປຸງແຕ່ງ, ຄຸນນະພາບແລະການຄວບຄຸມຂະບວນການ, ແລະບັນລຸຂະບວນການອັດຕະໂນມັດແລະການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບ.

3. ອີງຕາມປະສົບການການຜະລິດກ່ອງ PV junction, ສຸມໃສ່ການເສີມສ້າງການຄວບຄຸມຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງການເຊື່ອມຕໍ່ລະຫວ່າງອຸປະກອນເສີມຂອງກ່ອງ junction ແລະການຄຸ້ມຄອງຈຸດຄວບຄຸມຄຸນນະພາບທີ່ສໍາຄັນເຊັ່ນ: ການຄວບຄຸມອັດຕາສ່ວນການບີບອັດຢູ່ໃນຈຸດເຊື່ອມຕໍ່, ຄວາມ​ຕ້ອງ​ການ​ຂະ​ບວນ​ການ​ການ​ປະ​ກັນ​ໄພ​ສອງ​ເທົ່າ​ສໍາ​ລັບ​ການ tinning​, ແລະ​ການ​ຄວບ​ຄຸມ​ຂະ​ບວນ​ການ​ເຊື່ອມ​ໂລ​ຫະ ultrasonic​, ການ​ປິ່ນ​ປົວ Corona​, ແລະ​ການ​ຕິດ​ຕາມ​ຕົວ​ກໍາ​ນົດ​ການ​ທີ່​ສໍາ​ຄັນ​.

ນອກເຫນືອໄປຈາກການປັບປຸງຄວາມສາມາດຂອງຕົນເອງຂອງຜູ້ຜະລິດກ່ອງ photovoltaic, ຜູ້ຜະລິດອົງປະກອບແລະອົງການຈັດຕັ້ງພາກສ່ວນທີສາມແມ່ນການປັບປຸງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ການທົດສອບ, ການປະເມີນຜົນແລະການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບຂອງ junction boxes ແລະອົງປະກອບ, ເຊິ່ງໄດ້ສົ່ງເສີມການປັບປຸງການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບແລະ R & D ຄວາມສາມາດ. ຂອງຜູ້ຜະລິດກ່ອງເຊື່ອມຕໍ່.

ເລີ່ມຕົ້ນຈາກເຄິ່ງທໍາອິດຂອງປີ 2020, ອົງການຈັດຕັ້ງການຢັ້ງຢືນເຊັ່ນ: TUV ໄດ້ອອກໃບຢັ້ງຢືນການ 25A ແລະ 30A junction box ໃບຢັ້ງຢືນໃຫ້ແກ່ຜູ້ຜະລິດ PV junction box ຈໍານວນຫຼາຍ.batches ຂອງ junction boxes ຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນປະຈຸບັນໄດ້ຜ່ານການຢັ້ງຢືນແລະການທົດສອບຂອງອົງການຈັດຕັ້ງພາກສ່ວນທີສາມ, ເຊິ່ງໄດ້ເພີ່ມຄວາມຫມັ້ນໃຈຂອງຜູ້ຜະລິດກ່ອງ junction ແລະຜູ້ຜະລິດໂມດູນ photovoltaic.ດ້ວຍການປ່ອຍຄວາມອາດສາມາດການຜະລິດຂອງ 182 ແລະ 210 ໂມດູນຊິລິໂຄນ wafer ຂະຫນາດໃຫຍ່, ຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດທີ່ສະຫນັບສະຫນູນຂອງປ່ອງ junctions ຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນປະຈຸບັນຈະໄດ້ຮັບການສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນແລະຂະຫຍາຍເທື່ອລະກ້າວ.

ສະຫລຸບລວມແລ້ວ, ປະສິດທິພາບ, ການຮັບປະກັນຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດຂອງກ່ອງແລະອົງປະກອບຂອງ photovoltaic ໃນປະຈຸບັນສູງແມ່ນແກ່ແລ້ວ, ແລະພວກເຂົາສາມາດຕອບສະຫນອງໄດ້ຢ່າງເຕັມສ່ວນກັບຄວາມຕ້ອງການຂອງປະເພດທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງ wafers ຊິລິໂຄນຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະອົງປະກອບພະລັງງານສູງ.