მაღალი დენის ფოტოელექტრული შეერთების ყუთი სრულად აკმაყოფილებს 210 PV მოდულის მოთხოვნებს

166, 182 და 210 ფოტოელექტრული მოდულის მასიური წარმოებით, ინდუსტრია აგრძელებს სილიკონის ვაფლის ზომის ცვლილების უპირატესობებისა და უარყოფითი მხარეების განხილვას.დისკუსიის ფოკუსში შედის მოდულების ელექტრო პარამეტრები და ზომები, ტრანსპორტირება და ნედლეულის მიწოდება.რა თქმა უნდა, ასევე არსებობს დისკუსიები ფოტოელექტრული შეერთების ყუთების საიმედოობისა და მასალის შერჩევის შესახებ.როგორც მასალების მიმწოდებელი, რომელიც დაკავებულია შეერთების ყუთების კვლევა-განვითარებით და წარმოებაში დიდი ხნის განმავლობაში, ჩვენ ვაანალიზებთ ურთიერთკავშირს შეერთების ყუთებსა და დიდი ზომის სილიკონის ვაფლებსა და მაღალი სიმძლავრის მოდულებს შორის მატერიალური პერსპექტივიდან.

Photovoltaic Junction Box-ის მუშაობის პრინციპი

მთავარი ფუნქციაფოტოელექტრული შეერთების ყუთიარის ფოტოელექტრული მოდულის მიერ გამომუშავებული სიმძლავრის გადატანა გარე წრეში, მათ შორის გარსი, დიოდი, mc4 კონექტორი, ფოტოელექტრული კაბელი და სხვა კომპონენტები, რომელთა შორის დიოდი არის ძირითადი მოწყობილობა.როდესაც მოდული ნორმალურად მუშაობს, PV შეერთების ყუთში დიოდი არის საპირისპირო ბლოკირების მდგომარეობაში;როდესაც მოდულის უჯრედი დაბლოკილია ან დაზიანებულია, შემოვლითი დიოდი ჩართულია მთელი ფოტოელექტრული მოდულის დასაცავად.

ზემოაღნიშნული ცხრილი გვიჩვენებს 166, 182 და 210 მოდულის ელექტრული შესრულების ტიპურ პარამეტრებს და ფოტოელექტრული მოდულის ქარხნის ფოტოელექტრული შეერთების ყუთის ნომინალური დენის შერჩევას.მოდულის პარამეტრებში ნაჩვენებია დაბალი დენი, მაღალი ძაბვა და მაღალი დენი და დაბალი ძაბვა შესაბამისად.

Photovoltaic Junction Box და Diode

ფოტოელექტრული შეერთების ყუთის ძირითადი ინდიკატორები მოიცავს შეერთების ყუთის ნომინალურ დენს, დიოდის ნომინალურ დენს და საპირისპირო გამძლეობის ძაბვას და ა.შ.

ზოგადად, ფოტოელექტრული მოდულების და შეერთების ყუთების სერტიფიცირება და ტესტირება ეფუძნება: მზის შეერთების ყუთების ნომინალური დენი ≥ 1,25-ჯერ Isc შერჩევისა და ტესტირებისთვის, და დაცული იქნება გარკვეული ზღვარი.ნორმალურ სამუშაო პირობებში, შეერთების ყუთის დიოდი არის საპირისპირო გამორთვის მდგომარეობაში.166 და 182 კომპონენტის ან 210 კომპონენტის მიუხედავად, დიოდები არ გაატარებენ ან გაცხელებენ.210 კომპონენტთან შედარებით, 182 და 166 კომპონენტების შეერთების ყუთის დიოდებს ექნებათ ოდნავ მაღალი საპირისპირო მიკერძოების ძაბვა.

როდესაც ფოტოელექტრული მოდული ჩნდება ცხელი წერტილი, დიოდი გაატარებს წინ და გამოიმუშავებს სითბოს.აიღეთ 210 მოდული და 25A შეერთების ყუთი, როგორც მაგალითი, როდესაც გამომავალი დენი Isc=18.6A (დენი, როდესაც ფაქტობრივი მოდული მუშაობს არის Imp≈17.5A), შეერთების ტემპერატურა არის დაახლოებით 120°C.თუ გავითვალისწინებთ გარემოს საკმარისი განათების ნაწილს, 1.25-ჯერ Isc (23.2A) შემთხვევაში, ფოტოელექტრული შეერთების ყუთის შეერთების ტემპერატურა ამ დროს არის დაახლოებით 160°C, რაც გაცილებით დაბალია ვიდრე 200°C შეერთება. IEC62790 სტანდარტის ტემპერატურის ზედა ზღვარი.რა თქმა უნდა, ISC 182 და 166 მოდულებისთვის ოდნავ დაბალია, და იგივე კონფიგურაციის შეერთების ყუთს აქვს უფრო დაბალი სითბოს გამომუშავება და შეერთების ყუთები უსაფრთხო სამუშაო მდგომარეობაშია, ასე რომ არ არსებობს რისკი.

ზემოაღნიშნული ანალიზი არის ფოტოელექტრული შეერთების ყუთის მუშაობა ფოტოელექტრული მოდულის ცხელი წერტილების შემთხვევაში.რაც შეეხება მოდულებს, როდესაც ჩიტები ან ფოთლები ბლოკავს ცხელ წერტილებს და სწრაფად გაქრება, მოხდება დიოდური თერმული გაქცევა.მოდულის სტრიქონი მოუტანს მყისიერ საპირისპირო მიკერძოებულ ძაბვას და გაჟონვის დენს დიოდს, ხოლო სიმების მაღალი ძაბვა უფრო დიდ გამოწვევებს მოუტანს შეერთების კოლოფს და დიოდს.PV შეერთების ყუთის დიზაინის პერსპექტივიდან, ყუთის გონივრული სტრუქტურის დიზაინი, სითბოს ადვილად გაფრქვევის დიოდური შეფუთვა და ჩიპების უკეთესი შერჩევა შეუძლია ამ პრობლემების გადაჭრას.

ორმხრივი მოდულებისა და ნახევრად ცალი მოდულებისთვის, ვინაიდან თითოეული ერთეული მხარე ერთმანეთთან პარალელურად არის დაკავშირებული, როგორც ნაჩვენებია ქვემოთ მოცემულ სურათზე, როდესაც ხდება ლოკალური ცხელი წერტილის ეფექტი და სითბური გაქცევა, პარალელური ნაწილი შეიძლება შეიზღუდოს და უსაფრთხოების ზღვარი შეერთების ყუთით დაჯავშნილი კიდევ უფრო დიდია.გამოთვლების მიხედვით, ალბათობა იმისა, რომ ორმხრივი ნახევარუჯრედიანი მოდულის პარალელური მხარეები, წინა და უკანა მხარეები ერთდროულად დაიბლოკოს, უკიდურესად დაბალია, რაც დაახლოებით 1 მოდულის სიხშირეა 10 გვტ-ში.ამიტომ, რეალურ პირობებში, შეერთების ყუთის სრული დატვირთვით მუშაობა თითქმის შეუძლებელია და გარანტირებულია საიმედოობა.

ფოტოელექტრული კონექტორები და კაბელები

როგორც ელექტროგადამცემი ერთ-ერთი კომპონენტი,ფოტოელექტრული კონექტორიპასუხისმგებელია ელექტროსადგურის წარმატებულ შეერთებაზე.ამჟამად, ბაზარზე ჩვეულებრივ გამოყენებული ძირითადი კონექტორების ნომინალური დენი 30A-ზე მაღალია, ხოლო მაქსიმუმი შეიძლება მიაღწიოს 55A-ს, რაც საკმარისია არსებული მაღალი სიმძლავრის კომპონენტების ელექტროგადამცემი მოთხოვნების დასაკმაყოფილებლად.დადასტურებულია, რომ 55A მოდულის საპირისპირო დენის გადატვირთვის ტესტში ფოტოელექტრული კონექტორის ნომინალური დენით 41A მწარმოებლისგან, მონიტორინგის ტემპერატურაა 76°C, რაც ბევრად დაბალია ნედლეულის 105°C RTI ღირებულებაზე. კონექტორის.თუმცა, მაღალი დენის აპლიკაციის გარემოში, კონექტორის ბოლო ასევე უნდა ეცადოს თავიდან აიცილოს პოტენციური პრობლემები, როგორიცაა დენის შეზღუდვა, გამოწვეული ადგილობრივი მაღალი წინააღმდეგობით და ადგილობრივი საკონტაქტო წერტილის გადახურებით.ეფექტური გადაწყვეტილებები, როგორიცაა: გამტარი რგოლის კონტაქტური მუშაობის ოპტიმიზაცია, კონექტორის საერთო სტრუქტურის გაუმჯობესება, კონექტორის ბოლოზე კაბელის დაჭიმვის ხარისხის გაუმჯობესება და დამაკავშირებელ ნაწილზე თუნუქის ორმაგი სადაზღვევო ტექნოლოგიის დამატება.

ამისთვისფოტოელექტრული კაბელები, კაბელების ნომინალური დენი, რომლებიც შეესაბამება EN ან IEC სტანდარტებს (4 მმ2 კაბელები, ნომინალური დენი არის 44A, როდესაც ზედაპირები ერთმანეთის გვერდით არის) გაცილებით მაღალია, ვიდრე ფოტოელექტრული შეერთების ყუთის ნომინალური დენი, ამიტომ არ არის საჭირო ინერვიულოთ მის საიმედოობაზე.

PV Junction Box წარმოების პროცესი და ბაზრის მიმოხილვა

ფოტოელექტრული შეერთების ყუთების წარმოების დონის და ხარისხის კონტროლის შესაძლებლობების მუდმივი გაუმჯობესებით, შეერთების ყუთების მუშაობა და საიმედოობა გარანტირებულია, რაც შეიძლება დააკმაყოფილოს დიდი ზომის სილიკონის ვაფლისა და მაღალი სიმძლავრის კომპონენტების მოთხოვნებს.

1. ფოტოელექტრული შეერთების ყუთის დიზაინისა და წარმოების პროცესში დანერგილია დიდი რაოდენობით ახალი პროცესები და ახალი ტექნოლოგიები, რომლებიც დამოწმებულია ნახევარგამტარების, საავტომობილო, აერონავტიკის და ა.შ სფეროებში, როგორიცაა მოდულის შეფუთვის ტექნოლოგია, შუალედური სიხშირის შედუღება. ტექნოლოგია და ა.შ., ელექტრული მუშაობის გასაუმჯობესებლად და შეერთების ყუთის პროდუქტების სითბოს გაფრქვევის უნარის გასაუმჯობესებლად.

2. PV პანელების შეერთების ყუთის წარმოების პროცესში, ავტომატიზაციის აღჭურვილობის კვლევისა და განვითარებისა და ინვესტიციის გაზრდამ შეიძლება უზრუნველყოს დამუშავების სიზუსტე, ხარისხი და პროცესის კონტროლირებადი და მიაღწიოს პროცესის ავტომატიზაციას და ხარისხის კონტროლის ავტომატიზაციას.

3. PV შეერთების ყუთის წარმოების გამოცდილებიდან გამომდინარე, ყურადღება გაამახვილეთ კავშირის საიმედოობის კონტროლის გაძლიერებაზე შეერთების ყუთის აქსესუარებს შორის და ხარისხის კონტროლის ძირითადი წერტილების მართვაზე, როგორიცაა შეკუმშვის კოეფიციენტის კონტროლი შეერთების წერტილში, ორმაგი დაზღვევის პროცესის მოთხოვნები დაკონსერვებისთვის და შედუღების პროცესის ულტრაბგერითი კონტროლის, კორონას მკურნალობისა და მნიშვნელოვანი პარამეტრების მონიტორინგისთვის.

გარდა ფოტოელექტრული შეერთების ყუთების მწარმოებლების შესაძლებლობების გაუმჯობესებისა, კომპონენტების მწარმოებლები და მესამე მხარის ორგანიზაციები მუდმივად აუმჯობესებენ შეერთების ყუთების და კომპონენტების ტესტირებას, შეფასებას და ხარისხის კონტროლს, რამაც კიდევ უფრო შეუწყო ხელი ხარისხის კონტროლის და R&D შესაძლებლობების გაუმჯობესებას. შეერთების ყუთების მწარმოებლები.

2020 წლის პირველი ნახევრიდან დაწყებული, სერტიფიცირების ორგანოებმა, როგორიცაა TUV, გასცეს 25A და 30A შეერთების ყუთის სერტიფიკატები ბევრ PV შეერთების ყუთების მწარმოებლებს.დიდი დენის შეერთების ყუთების პარტიებმა გაიარეს მესამე მხარის სააგენტოების სერტიფიცირება და ტესტირება, რამაც კიდევ უფრო გააძლიერა შეერთების ყუთების მწარმოებლებისა და ფოტოელექტრული მოდულების მწარმოებლების ნდობა.182 და 210 დიდი სილიკონის ვაფლის მოდულის წარმოების სიმძლავრის გამოშვებით, ასევე თანდათან ჩამოყალიბდება და გაფართოვდება დიდი მიმდინარე შეერთების ყუთების დამხმარე წარმოების სიმძლავრე.

მოკლედ, მაღალი დენის ფოტოელექტრული შეერთების ყუთების და კომპონენტების მუშაობის, საიმედოობის უზრუნველყოფისა და წარმოების შესაძლებლობები მომწიფებულია და მათ შეუძლიათ სრულად დააკმაყოფილონ სხვადასხვა ტიპის დიდი ზომის სილიკონის ვაფლისა და მაღალი სიმძლავრის კომპონენტების მოთხოვნები.